第369章 技术大突破（2/2）

有那么多课题的科研需求驱动，顾松硬是背完了整本黑科技百科全书，甚至吃透了其中一些类目的知识。

得益于此，dram项目才终于出了成果。

终于啊！

真不怨这些领域国内技术进步慢，实在是基础太薄弱了。

顾松有自己理解完黑科技百科全书然后提出见解和他们一起摸索的小挂，才在05年里“突飞猛进”，最终搞定了这个项目。

所以怨不得他笑得特别开心，这是真的有点成就感。

车子很快到了芯火科技。

除了原来一期的厂房，一栋新的厂房也已经修好了。

廖青山迎到了楼门口。

“青山，老婆孩子在这边生活习不习惯？”

廖青山笑着说：“挺好的，她们觉得梨湖边上很惬意。”

顾松哈哈哈地拍着他的肩膀一起进门了。

05年，由于燧石科技带来的连锁反应，湾岛对芯片行业的调查提前上演，也导致曹星辰的提前辞职。廖青山现在身份异常敏感，听顾松的劝把老婆孩子都接到武湖来了。

“你今天心情很好啊，有好消息？”

顾松笑着说：“ddr4和lpddr.”

廖青山脚步都停下来了：“4？”

顾松点点头。

ddr4按正常的时间节点，现在才刚开始研究，得要5年后才开始进入量产阶段。现在市面上，ddr2才刚刚普及，各种厂商才提出自己的ddr3解决方案，连ddr3的标准都没发布。

而专门适用于智能手机这样移动计算设备的低电压lpddr，它的第一代标准本也得到2009年才拿出来。

怪不得廖青山都走不动道了。

“……这个二期厂房？”廖青山不确定地问道。

顾松笑着说：“等咱们自己的浸润光刻机进来，直接生产内存。”

廖青山愣了几秒才开始迈腿喃喃道：“牛逼了。”

顾松又拍拍他的肩膀：“过完年一起跟我去isscc震震他们。”

廖青山舔了舔嘴唇，好刺激的样子。他着急地问道：“流片呢？”

“倪院士那边会联系你的。这个流片就直接等3月份专项科研基金项目验收完，运抵这边之后用咱们的浸润光刻机来做。”

“这……这可太牛逼了……”廖青山没想到从湾积电到这边来才三年，现在都可以立刻玩玩浸润光刻机了。

他一边走一边问：“咱这机器，和xt1700i相比怎么样？”

现在，as是因为咱们的3d闪存邀请你过去？”

顾松笑呵呵地说：“是啊，04年投产的第一批3d闪存，咱们拿出来的是250纳米制程的，单颗芯片容量4g。虽然三星量产的2d芯片也是4g，但成本比咱们低。05年他们量产8g的，但咱们一下子翻了8倍到了32g，世界慌了嘛。”

廖青山感叹道：“我现在才理解到，你当初把工艺已经储备到什么程度了。东芝现在好苦啊。咱们已经在做130纳米的了，8层存储单元加4层封装。东芝05年拿出来的，还是180纳米制程，3层存储单元2层封装。今年可以推进到12层存储单元加4层封装了，at1100魔改一下再推进到65纳米的制程，东芝赶的速度没咱们突破的速度快！”

顾松嘿嘿地笑，当时按承诺，给东芝的是8寸晶圆，500纳米制程底下，2层存储单元加2层封装的工艺，本身他们消化完原始技术就花时间。要说起来，他们在制程工艺上的积累深厚，很快就推进到180纳米制程，但其他方面就慢了。

“全靠同行衬托！今年得把工艺提上去，成本降下来，优势就更大了。”

廖青山信心满满：“许总那边已经试产了这么久，牛总那边也把设备准备好了。春节期间这边改装调试好，明年3d闪存制程工艺大突破！”